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SI2309CDS-T1-GE3

SI2309CDS-T1-GE3

厂商名称：Vishay

SI2309CDS-T1-GE3图片

元件分类：MOS管

中文描述：

功率场效应管,MOSFET,P通道,60 V,1.6 A,0.285 ohm,SOT-23,表面安装

英文描述：

MOSFET Transistor,1.2 A,60 V,3-Pin SOT-23,TO-236

数据手册：

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SI2309CDS-T1-GE3概述

SI2309CDS-T1-GE3是一款P沟道60V功率MOSFET,±20V栅源电压。采用TrenchFET®功率MOSFET技术。

无卤素

应用

音频,信号处理

SI2309CDS-T1-GE3中文参数

制造商:	Vishay	Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
产品种类:	MOSFET	Qg-栅极电荷:	2.7 nC
技术:	Si	最小工作温度:	- 55 ℃
安装风格:	SMD/SMT	最大工作温度:	+ 150 ℃
封装 / 箱体:	SOT-23-3	Pd-功率耗散:	1.7 W
晶体管极性:	P-Channel	通道模式:	Enhancement
通道数量:	1 Channel	配置:	Single
Vds-漏源极击穿电压:	60 V	下降时间:	10 ns
Id-连续漏极电流:	1.6 A	晶体管类型:	1 P-Channel
Rds On-漏源导通电阻:	345 mOhms	典型关闭延迟时间:	15 ns
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, + 20 V	典型接通延迟时间:	5 ns

SI2309CDS-T1-GE3引脚图

SI2309CDS-T1-GE3引脚图

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